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　　金融界 2024 年 10 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体器件性能退化的测试方法及系统”的专利，公开号 CN 118818247 A，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件性能退化的测试方法及系统，属于半导体领域该半导体器件性能退化的测试方法包括采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并对测量数据进行对数正太分布拟合，得到不同电压提升速率下某固定电压下的第一阈值电压偏移；基于所述第一阈值电压偏移和电压提升速率，以获取时间因子；基于所述第一阈值电压偏移与不同施加电压，以获取电压加速上海个人借钱贷款因子。

本发明通过采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并进行数据拟合，获取时间因子、电压加速因子和失效时间对数正太分布σ2，从而获取半导体器件的失效时间，大大缩短了半导体器件的 HCI 和 BTI 测试时间。