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金融界 2024 年 10 月 29 日消息,国家知识产权局信息显示,上海朋熙半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆缺陷签名分析方法、设备、介质及产品”的专利,公开号 CN 118823465 A,申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示,本申请实施例涉及晶圆缺陷分析领域,公开了一种晶圆缺陷签名分析方法、设备、介质及产品采集训练数据,获取历史 klarf 数据,进行 defect 坐标信息解析,生成训练晶圆图,并标注 pattern signature 的类别;构建实例分割算法模型,通过所述训练晶圆图对所述实例分割算法模型进行训练;获取待预测 klarf 数据,进行 defec上海个人借钱t 坐标信息解析,生成待预测晶圆图;调用所述实例分割算法模型,对所述待预测晶圆图进行分析,输出 pattern signature 的类别和位置信息;对所述 defect 坐标信息分析,得到每个 defect 的位置信息;计算得到 defect signature 类别和 outlies defect。

可以至少用以解决 defect 在空间特征分析中缺失 signature 标签的类别属性的问题